“3D晶体管或许有人熟悉有人陌生，事实上，这早已不是什么新鲜的概念，最早的耗尽型贫沟道晶体管我们在1989年就见到过，之后基于DELTA技术的多闸极电晶体成为业内一个重要的研究方向。
像伴英特尔早在2002年就对外宣传他们的3D晶体管设计，大风集团也很早就开始大力投入3D晶体管的研发。
为什么这么多人盯着这个方向，说白了，就是因为当晶体管的尺寸缩小到25nm以下时，传统的屏幕尺寸却已经无法缩小，那么问题就会出现。
我们一起来看大屏幕。”
大屏幕上出现了几张技术分析图，“二维结构晶体管自上世纪60年代开始应用，到现在已使用接近半个时间，然而我们注意到，随着闸极长度越来越小，源极和汲极的距离越来越近，闸极下方的氧化物也越来越薄，从而加剧漏电的可能性。
同时，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度越小，闸极与通道之间的接触面积也越小，也就是闸极对通道的影响力变小了。
尤其是当闸极长度缩小到20纳米以下的时候，这些问题格外明显。
而当原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构时，源极和汲极之间的通道变成了板状，闸极与通道之间的接触面积一下子就变大了。
这样一来即使闸极长度缩小到20纳米以下仍然能保留很大的接触面积，仍然可以控制电子是否能由源极流到汲极，可以说，多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制，提供了一个更好的方法可以控制漏电流。
同时，由于多闸极晶体管有更高的本征增益和更低的沟道调制效应，在类比电路领域也能够提供更好的效能，从而减少耗电量并提升芯片效能。
我们的实验数据表明，32nm的立体晶体管可以比32nm平面晶体管带来最多40%的性能提升，且同等性能下的功耗减少一半。”
此时站在台上负责主讲的人，名叫杨培栋。
提到3D晶体管，尤其是提到FinFET，也就是鳍式场效晶体管，更多人的第一反应肯定是胡正铭，毕竟胡正铭一直都是以FinFET发明者的身份为人熟知的。
但事实上FinFET并不是胡正铭一个人发明的，而是一个团队发明的，而且其中有三个核心人物，胡正铭是一个，还有两个分别是金志杰和杨培栋。
为了搞3D晶体管孟谦还真去找过胡正铭，但或许是因为胡正铭从台积电走后依然是台积电的顾问，而大风集团前几年跟台积电关系又很僵的缘故，胡正铭并没有接受孟谦的邀请。
于是孟谦就又去找了杨培栋和金志杰，同时，大风半导体还有很多从其他地方挖来的顶尖人才，今天的成功也是团队的成果。
这个杨培栋也算是个神奇人物了，头顶“世界100位顶尖青年发明家”，“全球顶尖100名化学家”，“全球顶尖100名材料科学家”三大头衔。
而且一提到杨培栋就一定会有人联想到努力两字，所有跟杨培栋合作过的人都不会少了这一评价。
但孟谦跟杨培栋当年私下沟通时候特别投机的一点在于两人对这个问题的看法都是努力当然是正能量的事情，但很多时候像孟谦和杨培栋这种拼命的人就是单纯的真的很想去做一件事情，在外人看来就成了拼命，事实上，只是因为想做。
宣扬努力有两种方式，一种是贩卖焦虑，一种是贩卖热爱，孟谦更喜欢后者。
杨培栋跟胡正铭一样，在多个大学和企业任职，在大风半导体他现在也只是顾问的身份，并不常在公司，但这个项目确实他出了很大的力，最后还是决定由他来主讲。
除了他在业内的名气，还有杨培栋身上一种说不清的自信很适合主讲，正如现在，杨培栋在讲解完技术后语气平淡却让人感觉掷地有声的说道，“在公司团队的努力下，3D晶体管终于可以从实验室走向市场。
可以说这是晶体管历史上最伟大的里程碑式发明，甚至可以说是重新发明了晶体管，我们终于可以满怀希望的说，3D晶体管时代真的来了。